1. 產(chǎn)品概述
MBE（分子束外延）鉬基板是一種專為高精度薄膜生長工藝設(shè)計(jì)的關(guān)鍵部件，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體、光電材料和量子器件等領(lǐng)域。鉬基板以其優(yōu)異的熱穩(wěn)定性、高純度和良好的機(jī)械性能，成為MBE設(shè)備中不可或缺的核心組件。

2. 產(chǎn)品特點(diǎn)
- 高熔點(diǎn)：鉬的熔點(diǎn)高達(dá)2620°C，適合高溫外延生長環(huán)境。
- 優(yōu)異的熱導(dǎo)率：確?；灞砻鏈囟染鶆蚍植迹苊饩植窟^熱。
- 高純度：采用高純度鉬材料，減少雜質(zhì)污染，提升薄膜質(zhì)量。
- 良好的機(jī)械強(qiáng)度：在高應(yīng)力條件下保持穩(wěn)定，延長使用壽命。
- 耐腐蝕性：在超高真空和化學(xué)活性環(huán)境中表現(xiàn)出色。
- 定制化設(shè)計(jì)：可根據(jù)客戶需求提供不同尺寸、形狀和表面處理的基板。

3. 應(yīng)用領(lǐng)域
- 半導(dǎo)體制造：用于GaAs、GaN、SiC等材料的分子束外延生長。
- 光電材料：用于激光器、探測器等光電器件的外延生長。
- 量子器件：用于量子點(diǎn)、量子阱等納米結(jié)構(gòu)的外延生長。
- 科研實(shí)驗(yàn)：適用于高精度薄膜生長和新材料研究。

4. 技術(shù)參數(shù)
- 材質(zhì)：高純度鉬（Mo）
- 熔點(diǎn)：2620°C
- 熱導(dǎo)率：138 W/m·K
- 密度：10.2 g/cm3
- 純度：≥99.95%
- 尺寸：支持定制（直徑、厚度等）
- 表面處理：可提供拋光、涂層等定制化處理

5. 產(chǎn)品優(yōu)勢
- 高性能：在高溫和超高真空條件下保持穩(wěn)定，確保外延生長質(zhì)量。
- 長壽命：耐高溫、耐腐蝕，減少設(shè)備停機(jī)時(shí)間和維護(hù)成本。
- 高精度：表面平整度高，確保薄膜生長均勻性。
- 定制化服務(wù)：根據(jù)客戶需求提供個(gè)性化設(shè)計(jì)和制造服務(wù)。
- 優(yōu)質(zhì)售后服務(wù)：提供全面的技術(shù)支持和維護(hù)服務(wù)。

6. 使用與維護(hù)
- 安裝：確?；迮c設(shè)備匹配，避免機(jī)械應(yīng)力。
- 清潔：定期清理表面污染物，保持高純度和性能。
- 檢查：定期檢查磨損和腐蝕情況，及時(shí)更換或維護(hù)。

7. 適用設(shè)備
- MBE（分子束外延）設(shè)備
- 超高真空薄膜沉積設(shè)備
- 其他高精度外延生長設(shè)備


MBE鉬基板憑借其優(yōu)異的性能和可靠性，在半導(dǎo)體、光電材料和量子器件等領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。無論是大規(guī)模生產(chǎn)還是科研實(shí)驗(yàn)，鉬基板都能提供高效、穩(wěn)定的支持，是MBE設(shè)備中的核心組件。

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